只不過因為前面天量的投資，使得Nikon和明知道157nm的DUV很有可能已經(jīng)做到了這一方向的制程極限，然而那句話‘超前一步是天才，超前幾步是瘋子’的箴言，他們顯然都很信奉，卻依然在拼命的豪賭。

        原因很簡單，只有這么做他們才能依然保持著行業(yè)壟斷，同時收回前期投入的幾十億美元的資金。

        這個情況就像現(xiàn)在的個人便攜式音樂播放器市場，他們不是不明白新技術(shù)的優(yōu)勢和代表著產(chǎn)品的未來方向。

        而是不愿意新技術(shù)現(xiàn)在就在市場上蠶食他們的份額，更不愿意一切重來的推倒?fàn)t灶。

        而且即使在研發(fā)157nm的DUV光刻機的時候，這兩家公司也在多電子束，離子流技術(shù)，甚至浸沒式光刻技術(shù)光刻技術(shù)，等等研發(fā)領(lǐng)域悄悄的組建了研究機構(gòu)，并且大量的提前申請布局專利壁壘。

        就比如在三年前的99年3月16日，Nikon公司就向?qū)＠痔峤涣私]式光刻技術(shù)專利申請，專利名稱是“Projeexposuremethodandsystem”。該PCT國際公開日是99年9月30日，國際公開號：WO99/49504。

        可以說是相當(dāng)?shù)碾u賊。

        包括和ASML合作的麻省理工學(xué)院MIT林肯實驗室，也在157nmDUV上努力的給ASML助力。

        不過他們研究的方向有別于Nikon和在純氮氣中進(jìn)行157nm光波雕刻，而是選擇了離子水純化水狀態(tài)下的157nm浸沒實驗。

        這個實驗大致和Nikon的浸沒式光刻技術(shù)專利差不多，都是研究在純凈水狀態(tài)下157nmDUV的雕刻性能。

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